CAS NO:95418-58-9 PTBS/4-tert-ブトキシスチレン

A: 酸素に敏感です。不活性ガス下、光、熱を避け2～8度で密封して保管してください。自己重合を避けるために抑制剤で安定化されています。

A: ポリマーは tert-ブトキシ保護基を持っています。光酸は露光後に脱保護を引き起こします。樹脂がアルカリ不溶性からアルカリ可溶性に変化し、パターン現像を実現します。

A: 半導体フォトレジストの場合、微量の金属不純物がウェーハ漏れの原因となり、歩留まりが低下します。金属イオンはppbレベルで管理されています。

A: 特殊な感光性コーティングやフォトレジスト添加剤用の酸に敏感なコポリマーを合成できます。また、生物医薬品の徐放性担体用の pH 応答性ポリマーも調製できます。

A: 不純物は樹脂の重合に影響を与え、フォトレジストの感度の変動、パターンのエッジの粗さ、リソグラフィーの解像度の低下、チップ回路パターニングの精度の低下を引き起こします。